Наука                    Культура                    Сотрудничество                    Библиотека                    Медиатека

EN    


Главная - - Культура - Вклад уроженцев Беларуси в общеевропейские науку и культуру - XX век

Алфёров Жорес Иванович

 







Алфёров Жорес Иванович

(р. 15.03.1930)



Основоположник физики и электроники полупроводниковых гетероструктур; лауреат Нобелевской премии



Родился в городе Витебске. В 1952 году окончил Ленинградский электротехнический институт. С 1953 года в Физико-техническом институте Российской академии наук (в 1987–2003 годах директор). Одновременно в Санкт-Петербургском электротехническом университете (с 1973 года заведующий кафедрой) и Санкт-Петербургском техническом университете (с 1988 декан физико-технического факультета). С 1989 года председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра, с 1990 года вице-президент Российской академии наук. В 1970 году получил ученую степень доктора физико-математических наук, в 1973 году – звание профессора. Академик Российской академии наук (1979 г.). Иностранный член Польской академии наук (1988 г.), Национальной академии наук Беларуси (1995 г.), Национальной академии наук и Национальной инженерной академии наук США (1990 г.), академий наук и научных обществ других стран. Учредитель Фонда поддержки образования и науки (Алферовский фонд), созданного в 2001 году с целью объединения интеллектуальных, финансовых и организационных усилий российских и зарубежных физических и юридических лиц для содействия развитию российской науки и образования. С 2010 года cопредседатель Консультативного научного Совета Фонда развития Инновационного центра «Сколково».



Научные труды по физике полупроводников, квантовой и полупроводниковой электронике. Участник создания первых в СССР транзисторов, фотодиодов и мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции, предложил идеальные полупроводниковые гетероструктуры типа «арсенид алюминия – арсенид галлия» (1967 г.). На их основе создал светодиоды (1968 г.) и солнечные батареи (1970 г.), полупроводниковые лазеры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре (1970 г.), что привело к развитию волоконно-оптических линий связи, лазерных систем записи и считывания информации. Впервые реализовал инжекционные гетеролазеры на основе квантовых точек (1993–1995 гг.), чем заложил основы зонной инженерии. Лауреат Нобелевской премии по физике 2000 года за фундаментальные работы, заложившие основы современных информационных технологий посредством создания полупроводниковых гетероструктур, используемых в быстрой и оптоэлектронике. Лауреат Ленинской премии за 1972 год, премии «Хьюлетт-Паккард» Европейского физического общества за 1978 год, Государственных премий СССР за 1984 год и Российской Федерации за 2001 год, международной энергетической премии «Глобальная энергия» за 2005 год. Награжден орденами Ленина (1986 г.), Октябрьской Революции (1980), Трудового Красного Знамени (1975 г.), «Знак Почета» (1959 г.), «3a заслуги перед Отечеством» I–IV степеней (Россия, 1999, 2000, 2005, 2010 гг.), Франциска Скорины (Беларусь, 2001 г.), князя Ярослава Мудрого (Украина, 2003 г.), медалью ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» (2010 г.), медалями СССР и Российской Федерации. Почетный гражданин городов Минска (2002) и Витебска (2003). Его именем названа малая планета.



Труды:

1. Физика и жизнь. 2 изд. М.; СПб.: Наука, 2001.

2. Наука и общество. СПб.: Наука, 2005.

3. Scienza e Societa. Roma: Sandro Teti Editore, 2006.

Литература:

1. Josephson P. R. Lenin's Laureate: Zhores Alferov's Life in Communist Science. The MIT Press, 2010.



 

 

Поиск по сайту:
по любому из слов по каждому слову

© Национальная академия наук Беларуси, 2011